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产品型号:TM-DAR
厂商性质:代理商
更新时间:2026-08-05
访 问 量:15
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进口代理TAIMEI大明化学低温烧结氧化铝粉
进口代理TAIMEI大明化学低温烧结氧化铝粉
TM-DAR是TAIMICRON系列中专为高纯度需求设计的旗舰型号,其纯度达到5N级(99.995%)以上,在半导体、核医学等对材料纯净度要求高的领域具有不可替代性。
以下是TM-DAR的关键技术参数:
| 参数 | 规格 | 备注 |
|---|---|---|
| 纯度 (Al₂O₃) | ≥ 99.995% | 系列最高,属于5N级高纯氧化铝 |
| 相态 | α-Al₂O₃ (刚玉相) | 结构稳定 |
| BET比表面积 | 14.5 m²/g | 系列最高,烧结活性优异 |
| 一次粒子径 | 0.10 μm | 超细且均匀 |
| 平均粒子径 | 0.05 - 0.2 μm | - |
| 松装密度 | 0.9 g/cm³ | - |
| 振实密度 | 1.0 g/cm³ | 系列最高,利于成型 |
| 成形密度 | 2.3 g/cm³ | 系列最高 |
| 烧结密度 | ≥ 3.96 g/cm³ | 可达理论密度的98%以上 |
| 烧结温度 | 1250℃ - 1350℃ | 可在1300℃以下致密化 |
| 典型杂质控制 | Si < 10ppm, Fe < 8ppm, Na < 8ppm | 关键杂质极低 |
| 放射性元素控制 | U < 0.004ppm, Th < 0.005ppm | 适合核医学等高要求场景 |
TM-DAR通过一整套严谨的工艺设计,将纯度推向了一个新高度:
独特的前驱体工艺:采用碱性碳酸铝铵(AACH)热分解法。通过高纯铝盐与碳酸铵反应生成高纯前驱体,再经精确控温煅烧得到α-氧化铝,从源头保证了高纯度。
严苛的杂质控制:对关键杂质(如Si、Fe、Na)和放射性元素(U、Th) 进行严格控制。
超细粉体与低温烧结:0.10μm的超细粒径带来巨大表面能,使其能在1250-1300℃ 的低温下实现致密化烧结。这不仅能节能30%以上,还能有效抑制晶粒异常生长,保证微观结构均匀。
优异的成型性能:通过表面修饰技术防止颗粒团聚,使振实密度和成形密度均达到系列最高。在注射成型时,填充率可提升15%以上。
TM-DAR的高纯度使其成为以下高精尖领域的核心材料:
光学领域:通过热等静压(HIP) 烧结后,可制备在600nm波长下透光率大于85% 的透明陶瓷,用于LED基板、光学窗口、YAG激光晶体、高压钠灯灯管等。
半导体与电子:极低的放射性(U、Th含量极低)使其成为半导体制造的理想选择,可用于晶圆承载夹具、刻蚀机喷头等核心部件。同时,其低介电损耗(tanδ<0.0002@1MHz)特性也适用于IC封装基板、毫米波滤波器等。
核医学与医疗:极低的放射性杂质含量,使其能用于核医学设备及人工关节、牙科植入物等生物陶瓷领域。
新能源:可用于固态电解质、陶瓷隔膜涂层等。
以下是TM-DAR与系列内其他型号的对比,能清晰地看到其“超高纯度"的定位:
| 型号 | 主要特点 | 纯度 (Al₂O₃) | BET (m²/g) | 一次粒径 (μm) | 烧结温度 (℃) | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TM-DAR | 超高纯度 (5N级) | ≥99.995% | 14.5 | 0.10 | 1350 | 半导体、核医学、高阶光学 |
| TM-DA | 高透光性 | ≥99.99% | 13.5 | 0.10 | 1350 | 透明陶瓷、光学窗口 |
| TM-D | 通用型 | ≥99.99% | 13.5 | 0.10 | <1300 | 精密陶瓷、电子基板 |
| TM-DR | 高成形性 | ≥99.99% | 14.5 | 0.10 | <1300 | 复杂形状注射成型部件 |
| TM-5D | 粗颗粒 | ≥99.99% | 9.0 | 0.20 | 1400 | 耐磨陶瓷、研磨工具 |
总结:如果说TM-DA是为“高透光性"而生,那么TM-DAR就是为“极至纯净"而设计。它以5N级的超高纯度为核心,辅以优异的烧结和成型性能,精准服务于半导体、核医学等对材料纯净度有*要求的领域。