日本代理OTSUKA大塚电子半导体量测设备

日本代理OTSUKA大塚电子半导体量测设备

半导体量测设备GS-300｜晶圆厚度与线上膜厚量测

无须搬送one through、降低Wafer的污染与高效率的Wafer量测提案
■GS-300为可针对Φ300mmEFEM装置的预备port进行In-situ Metrology Unit的整合。
　・简单针对研磨机等量产制程进行整合。减少wafer污染
　・可对应半导体生产工程的高throughput的要求
　・可针对wafer表面的pattern作对位alignment
　・对应Notch aligment功能
　・500x500mm小footprint
　・用R-θ载物台移动方式来测绘测量资料。研磨后wafer厚度测定、可针对镀膜后的wafer做面内膜厚管理
■GS-300、能有效生成研磨前后差异Mapping资料等、尤其在2次研磨中必要的资料作成
　・能量测WAFER EDGE附近膜厚⇒可最适化定义WAFER有效区
　　　　　　　　　　　　　　　　 　在次工程研磨于chipping为防止破片的最佳对策
　・化合物WAFER、贴合的评价⇒针对产品于wafer厚度的品质能有效提升
 

针对EFEM装置预备port整合GS-300
　

One through研磨处理
　　　　　研磨研磨结束・排出GS-300的stage搬入厚度量测开始高速测定中表示测定显示例（研磨后WAFER厚度评価）GS-300内部构造与流程 GS-300的处理（节省从制造设备到検查设备的搬送时间・以One through的构造降低WAFER的污染. 　(1)针对制造装置内如研磨等工程后的WAFER、为了以MAPPING的方式确认于同装置内的平坦度等而导入GS-300。 　(2)将WAFER设置于GS-300内的R-θstage上。以6万点约１分（最快的情况下）MAPPING量测。 　(3)测定终了后、生成次工程必要资料型式后将WAFER从GS-300排出。 　晶圆搬送进片方向可自由设置选择（如有prealignment功能）、量产制程中容易整合（500 X 500mmのfootprint）
　　　　


　
　





　

分光干涉式厚度量测原理
将光照射于测定対象（基板）上后、会引起表面反射光与里面反射光的交互干涉（多重反射）。
当光的位相一致时强度变强、不一致时变弱。观测光谱因伴随的波长的变化,反射强度而変化的干渉型式。
分光干渉法为解析这光谱进而求得厚度的手法。
　　光干渉原理

膜厚解析（周波数解析法）
GS-300使用的膜厚解析为周波数解析法、以弊社考虑独自屈折率n的波长分散性的解析技术、
于厚膜领域也能高精度解析出与实际值相当接近之膜厚。
　
　　　　　　　　　　　　　反射光谱→周波数解析法→并求出厚度的方法

对应高速量测
导入以一量测点约20um, 最快1msec.高性能感应器"SF-3"来针对移动的样品, 以6万点约１分（最快的情况下）MAPPING量测。
　
　

此菜、针对薄膜与厚膜的需求选定检出器的Line up