代理OTSUKA大塚电子晶圆厚度薄膜量测设备

代理OTSUKA大塚电子晶圆厚度薄膜量测设备

Standalone型晶圆厚度量测&产线上膜厚量测设备TE series

◎可根据需求对应2吋到12吋样品
◎在最适样品下量测时间1秒即可完成
◎可对应Inline或Offline
◎高精度自动对位组件

◎各种非金属化合物半导体材料厚度量测例：GaAs、SiC、SiO2

产品资讯

◎可根据需求对应max. 300mm样品的Standalone量测设备
◎在最适样品下量测时间１秒即可完成
◎针对300mmEFEM（Equipment Front End Module）于予备Lord Port Docking or 独立Standalone(手动POD上料)
◎搭载高精度自动对位组件。
◎各种非金属化合物半导体材料厚度量测例：GaAs、SiC、SiO2
◎可对应In Line 或Off Line
 

本设备配合半导体Wafer CMP制程中，于Off Line wafer薄膜厚度量测用途。
设备中包含2组Wafer Loadport、EFEM 、In-situ Metrology Module。
设备中的In-situ Metrology Module为透过光学反射原理藉由各薄膜层之光干涉现象，进而建立膜厚模型分析膜厚数值。
 　
　                                Standalone型式薄膜厚量测设备全体图 (Model:TE series)

本设备由EFEM robot取放待检wafer至膜厚量测单元(Metrology Module)，设备将自动进行对位量测，并依序完成客户指定pad薄膜厚度量测动作。
设备中具备高解析光学检测系统及高精度XY运动轴完成量测作业的进行，并于量测完成后汇整显示各点的量测数据资讯。
 

量测项目：◎多层膜解析、◎光学常数（n:折射率、k:消光系数）
设备中具备高解析光学检测系统及高精度XY运动轴完成量测作业的进行，并于量测完成后汇整显示各点的量测数据资讯。　
　　
　　　　　　　　Metrology Module的内容XY-回転自动平台和光学检测unit

●基本原理&解析手法
　　
　　　　　　　　　　　　　反射分光法也称为光干涉法，搭载光谱仪的反射架构下，由反射率进一步求得光学膜厚

●得到高精度検测非接触式显微膜厚计(Model:OPTM series)
　　　
　　　　　        显微分光的光学架构多点分析法