日本代理OTSUKA大塚分光干涉式晶圆测厚仪

日本代理OTSUKA大塚分光干涉式晶圆测厚仪

分光干涉式wafer晶圆测厚仪SF-3

◎非接触、非破坏式高速高精度量测晶圆厚度
◎即时检测WAFER基板于研磨制程中的膜厚(厚度范围6～1300μm※矽换算)
◎高速μSec等级量测即时检测，采用分光干涉法实现高精度检测再现性（0.01%以下）
◎WAFER基板于研磨制程中的膜厚
◎除了晶圆也可量测各种树酯膜等
◎玻璃基板于减薄制程中的厚度变化(强酸环境中)
◎Load Port嵌入式专用检出器
◎能因应不同产业和各种情况膜厚分光器(厚度范围10～2600μm※SiO2换算)

◦光学式以非接触・非破坏量测厚度（量测点位大小：min.约20μm）
◦体积小、省空间、设备安装简易（123 × 128 × 224mm）
◦采用分光干涉法实现高精度检测再现性（0.01%以下）
◦能以高速量测（最快5kHz）并监控即时研磨厚度
◦能实现长距离Working distance（以50mm）量测、崁入产线更加简单
◦使用TCP/IP通讯来控制以LAN来与Host连线
◦可对应多层厚度量测
◦在短暂贴合的情况下也能量测各层厚度

分光干涉式wafer晶圆测厚仪SF-3使用特殊波段坡长读取矽晶圆、玻璃等基材厚度。量测快速可直接架设于研磨机内，实时监控研磨厚度结果。针对半导体底材材料的多样化&3D IC堆叠厚度减薄的需求来开发的量测方法，对于目前市面上其他用来量测厚度的方式, 例如, 涡电流, 雷射变位计(段差计)以外提供另外一种量测方式, 而在精度以及稳定性上更胜, 并能支援real time及时研磨量测。

 

厚度测定（最多５层）
　因应不同量测对象，以矽晶圆厚度为例可量测6~1300μm。

 

　超高速量测，可适应快速晶圆研磨机台转速，直接架设于晶圆厚度研磨机中。

 

　量测点位微小，在各种粗糙面等也能稳定量测晶圆厚度。

 

能直接穿透真空或是液体量测晶圆厚度。